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IGBT器件基本失效模式及機理

作者: 網絡 編輯: 瑞凱儀器 來源: 網絡 發布日期: 2020.11.09

    目前,國內外對于IGBT器件失效的研究眾多,主要從兩方面入手,一方面是考慮器件自身的工作循環,另一方面是考慮器件的實際工況環境,研究表明IGBT失效是由內部工作循環及外部工況同時作用導致的,其失效機理復雜,失效模式主要分為封裝類失效及芯片類失效,如圖2-2所示。


IGBT器件基本失效模式分類


    一方面IGBT在工作時,通常開關頻率高,在持續的功率循環作用下,由于功率損耗,產生出大量熱量,在模塊內如不能得到及時的散熱,繼而導致模塊內部溫度升高。由于IGBT器件主要由各種材料的層結構組成,材料間熱膨脹系數(CTE)差異大,器件內部溫度升高從而使得材料間產生交變的剪切應力造成熱變形。
    另一方面,對于某些IGBT,如用于航天任務的功率電子器件IGBT,所處的工況環境惡劣,同時所經歷的任務載荷復雜,其失效維護困難,這一類的IGBT模塊除了高密度的功率循環內部工作條件外,同時要承受高低溫環境、機械振動及太空輻射等外部環境影響,惡劣的工作環境將加速器件由于工作循環導致的失效影響,如加速IGBT模塊由于功率循環熱應力導致的疲勞裂紋擴展,振動沖擊致使IGBT封裝鍵合線斷裂等。
    (1)IGBT器件封裝類失效
    為了滿足大電流的工程應用需求,IGBT 器件通常由幾個IGBT芯片并聯封裝成一個模塊,封裝對于IGBT器件來說,至關重要,既要實現器件與外部電路的連通,同時又要保證IGBT器件結構及工作性能的穩定,免受外部環境的機械損傷及空氣氧化。IGBT 器件封裝類失效可分為兩類:與鍵合線相關的失效、與焊料層相關的失效。
    ①鍵合線相關失效

    鍵合引線一般是通過超聲波鍵合工藝,實現與芯片、DBC板的連接,由于工作過程中承受較大的電流負載,其鍵合點處為IGBT模塊的薄弱環節之一。鍵合線故障主要包括鍵合點脫落及鍵合線斷裂,研究表明功率電子器件中鍵合線失效占器件總失效的70%左右。隨著技術發展,用于IGBT鍵合線的材料特性越來越好,鍵合線斷裂情況很少再發生,因此IGBT鍵合線故障主要的失效模式為鍵合點脫落。鍵合線脫落如圖(a)、(b),由于鋁鍵合線的抗拉極限低,在IGBT正常工作時的功率循環與溫度循環下,因電流通過產生的熱應力及材料間CTE差異引起的剪切應力,導致鍵合線與芯片連接處萌生裂紋,在持續的熱應力或外部環境如振動沖擊影響下,裂紋擴展,進而導致IGBT鍵合線脫落。


鍵合引線脫落失效

    鍵合引線在剪切應力作用下裂紋擴展失效的過程如圖2-4 所示,可以看到裂紋萌生的部位產生了應力集中效應,導致靠近裂紋位置的應力(σlocal) 要明顯大于其它距離裂紋位置較遠的應力(σ),兩應力之間存在如式(2-1)所述關系式。圖2-4中: a表示當前形成的裂紋長度,r 表示到當前形成裂紋尖部的距離大小。可以看到,σloca 應力隨著到裂紋尖部的距離增大而呈現減小趨勢,當某一靠近裂紋的位置出現σloca應力大于鋁鍵合引線產生的應力時,裂紋變形將發生擴展,進而導致鋁鍵合引線與IGBT 芯片間發生脫落。同時,如果需要確定裂紋變形區域的寬度,我們可以在式(2-1) 和式(2-2) 中假定σloca=σy,,然后求解即可。

引線脫落擴展示意圖

    ②焊料層相關失效

    焊料層主要作用在于連接IGBT器件內部各層材料,在工作期間產生的熱循環過程中,由于材料間CTE差異,在材料間產生交變的剪切熱應力,焊料層疲勞如圖2-5 (a)、 2-5 (b)所示。在上述應力的連續作用下,導致焊料層疲勞老化,萌生裂紋,進而擴展至材料分層,同時由于裂紋及分層的產生,焊料層與各層材料間的接觸面積變小,模塊熱阻增大,IGBT 器件內溫度進一步升高,并加速焊料層的失效,循環往復,致使IGBT過熱燒毀。另一方面,不可避免的IGBT在制造過程中由于其工藝本身缺陷,其初始狀態就具有裂紋或空洞等,這些工藝缺陷在熱應力的激發下,同樣將導致器件的失效。

焊接層疲勞

    IGBT器件焊料層疲勞的擴展過程與鍵合引線裂紋擴展類似,如圖2-6所示。上圖所示熱剪切應力作用下,焊料層疲勞裂紋末端產生一個不可恢復區域,同時在熱應力作用下,裂紋發生拉長,致使焊料層生成一個包含可恢復變形( △ael )和永久變形( △apl )新的表面。在應力σ去除后,前面形成的可恢復變形將復原,但永久變形部分仍在,致使新生成的表面發生擴展。

焊料層疲勞擴展圖

    (2) IGBT器件芯片類失效
    IGBT模塊中與芯片相關的失效主要有:電過應力、靜電荷放電、離子污染、電子遷移、輻射損傷等。
    ①電過應力
    過電壓失效原因主要有兩點,一方面由于靜電聚積在柵極發射極電容Cge 上引起過壓,另一方面為電容米勒效應引起的柵極過壓,兩者都會使柵氧化層擊穿而導致失效。IGBT的過電流失效主要是由于導通期間出現浪涌或發生短路故障時,熱電載流子成倍增加,引起過電流的發生,過電流進而導致過電壓,過電壓又反過來引起過電流,終導致器件功率損耗增大,結溫升高,IGBT芯片發生燒毀。
    ②靜電荷放電
    靜電放電(Electro-Static discharge, ESD)容易造成IGBT柵氧化層穿透,致使IGBT發生短路失效。但發生靜電擊穿柵氧化層的器件仍然可以正常工作,且不好監測,只有器件工作一旦時間后,靜電失效才會慢慢顯現出來,進而嚴重影響器件的使用性能。
    ③離子污染
    離子污染通常是由器件制造封裝過程中引入的灰塵、水汽及其它微小雜質造成的,主要引起IGBT器件發生電流泄露,同時影響器件的輸出特性,終致使器件短路失效。
    ④電子遷移
    電子遷移通常指的是因電流通過,金屬導線的組成離子,隨電流方向,發生流動,造成金屬導線中離子分布不均,局部出現空洞及小丘,從而導致IGBT器件發生短路、斷路及參數退化等失效模式。
    ⑤輻射損傷
    航天工況環境的IGBT,由于宇宙輻射的影響,輻射中所含的多種高能粒子與IGBT器件內氧化物結合引起電離,導致器件因參數漂移發生失效。
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