塑封半導體器件THB試驗

作者：網絡編輯：瑞凱儀器來源：網絡發布日期： 2021.08.19

THB 試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環境溫度及相對濕度，使試驗環境的水汽分壓增加，加大了試驗環境與塑封半導體器件樣品內部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質污染等。
為得到較好的加速性，THB試驗對不同功率的塑封半導體器件施加不同電壓偏置:小功率塑封半導體器件，施加穩態電壓偏置;人功率塑封半導體器件，施加間歇電壓偏置。因為大功率器件在“有偏置(bias-on)”時，芯片發熱對芯片周圍的模塑化合物有烘干作用，若持續施加穩態電壓偏置，則模塑化合物中不會存在水汽。因此，人功率器什在間歇偏置電壓下“無偏置（bias-off)”時模塑化合物吸收水汽;“有編置(bias-on)”時，封裝體內水汽在也偏置作:用下產生離子遷移激發火效。表1是JEDEC標準JESD22-A101-B（穩態THB壽命試!驗〉中施加電壓偏置的原則。

JESD22-A101-B標準中指出，大多數大功率塑封半導體器件試驗樣品以1小時加偏置，1小時不加偏置即能得到較好加速性。

塑封半導體器件